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RO輸出電阻100 W
RL電阻輸出負(fù)載50 kW
CL電容輸出負(fù)載100 500 pF
6毫安源
ISC輸出短路電流
13毫安下沉
串行接口SDAT、SCLK
ViL低電平輸入電壓0.3 VDD V
ViH高電平輸入電壓0.7VDD V
IiL低電平輸入電流-600-200 mA
IiH高電平輸入電流1 mA
數(shù)據(jù)表A2TPMIÔ
A2TPMI數(shù)據(jù)表第4版第6頁，共21頁，2003年10月修訂
電氣特性（續(xù)）
符號(hào)參數(shù)最小類型最大單位條件
VoL低電平輸出電壓0.5 V輸出電流£2mA
VoH高電平輸出電壓VDD0.6V V輸出電流³-2mA
參考電壓
VRef參考電壓1.223 1.225 1.227 V RL>1MW，TA=25°C
TCV參考
參考電壓溫度系數(shù)±30±100 ppm K-1
交流特性
除非另有說明，否則規(guī)定的TA=25°C，VDD=+5V的所有限值
符號(hào)參數(shù)最小類型最大單位條件
InN V1輸入?yún)⒖茧妷涸肼?20 nV/ÖHz均方根值
tStrt通電1秒后的響應(yīng)時(shí)間
VTobj的tlat延遲時(shí)間75毫秒
tresp響應(yīng)時(shí)間90 150毫秒
熱電堆特性
符號(hào)參數(shù)最小類型最大單位條件
3型芯片（TPS 33x）
S敏感（吸收器）面積0.7x0.7 mm2
N噪聲電壓38 nV/ÖHz
t時(shí)間常數(shù)25ms
VTobj/VTamb特性
熱電堆傳感器的VTobj和VTamb特性不僅取決于物體和環(huán)境
但取決于其他幾個(gè)因素，如物體尺寸與光斑尺寸的關(guān)系、環(huán)境溫度補(bǔ)償行為或?yàn)V光器特性。因此，無法指定通用VTobj
以及VTamb特性。這些特性將在單獨(dú)的客戶規(guī)范中具體說明應(yīng)用。
數(shù)據(jù)表A2TPMIÔ
A2TPMI數(shù)據(jù)表第4版第7頁，共21頁，2003年10月修訂
光學(xué)特性
A2TPMI可提供不同的
標(biāo)準(zhǔn)光學(xué)帽組件
并且沒有紅外透鏡或反射鏡。
光學(xué)器件定義視角或
傳感器的視場(chǎng)（FOV）。
FOV定義為入射
角度差，其中傳感器
顯示了根據(jù)所示設(shè)置的50%的相對(duì)輸出信號(hào)。
圖1:FOV定義
符號(hào)參數(shù)最小類型最大單位條件
標(biāo)準(zhǔn)帽型（C4）
視場(chǎng)60 70°50%相對(duì)輸出信號(hào)
OA光軸0±10°
帶內(nèi)部反射器的高帽型（C6 IRA）
FOV視場(chǎng)15 20°50%相對(duì)輸出信號(hào)
OA光軸0±2°
低帽型（C7）
100 105°50%相對(duì)輸出信號(hào)
FOV視野
125 135°10%相對(duì)輸出信號(hào)
OA光軸0±10°
后視鏡模塊（ML/MR/MF）
視場(chǎng)7 12°50%相對(duì)輸出信號(hào)
鏡頭蓋類型（L5.5）
視場(chǎng)7 12°50%相對(duì)輸出信號(hào)
OA光軸0±3.5°
D： S距離與光斑尺寸比8:1
輻射源
TPMI公司
遠(yuǎn)距離
e
2.
米
入射角
50%
100%
FOV在一半
能量點(diǎn)
旋轉(zhuǎn)
相對(duì)輸出信號(hào)
光圈
數(shù)據(jù)表A2TPMIÔ
A2TPMI數(shù)據(jù)表第4版第8頁，共21頁，2003年10月修訂
光學(xué)特性（續(xù)）
符號(hào)參數(shù)最小類型最大單位條件
鏡頭蓋類型（L10.6）
視場(chǎng)5 8°50%相對(duì)輸出信號(hào)
OA光軸0±2°
D： S距離與光斑大小之比11:1
過濾器特性
參數(shù)最小類型最大單位條件
標(biāo)準(zhǔn)過濾器
平均傳輸70%
波長(zhǎng)范圍從
7.5µm至13.5µm
平均傳輸0.5%
波長(zhǎng)范圍從
可視至5µm
切割5.2 5.5 5.8µm，25°C
G9過濾器
平均傳輸70%
波長(zhǎng)范圍從9
µm至13µm
平均傳輸1%
波長(zhǎng)范圍從
可視到帶通
在25°C下切割7.8 8 8.2µm
無涂層硅透鏡（G12）
平均傳輸52%
波長(zhǎng)范圍從
5.5µm至13.5µm
PerkinElmer提供多種紅外濾光片，具有多種不同的濾光片特性。
如果您有特殊要求或需要更多信息，請(qǐng)聯(lián)系PerkinElmer。
數(shù)據(jù)表A2TPMIÔ
A2TPMI數(shù)據(jù)表第4版第9頁，共21頁，2003年10月修訂
一般說明
熱電堆傳感器
由紅外輻射敏感熱電堆傳感器產(chǎn)生的信號(hào)電壓由
具有8位分辨率的可編程斬波放大器。
由于熱電堆溫度測(cè)量的原理，熱電堆電壓可以是正的或
負(fù)，取決于物體溫度是否高于或低于
2噸/分。為了允許使用單個(gè)電源系統(tǒng)對(duì)負(fù)電壓進(jìn)行信號(hào)處理，所有內(nèi)部
信號(hào)與標(biāo)稱1.225V的內(nèi)部參考電壓（Vref）有關(guān)，該參考電壓用作虛擬電壓
模擬接地。
對(duì)于熱電堆放大路徑的偏移電壓微調(diào)，前置放大器后面跟著
可編程微調(diào)級(jí)，產(chǎn)生具有8位分辨率的偏移電壓。
熱電堆電壓顯示出相對(duì)于物體溫度的非線性輸出特性。
環(huán)境溫度傳感器
A2TPMI（分別為熱電堆傳感器）的溫度由集成溫度傳感器檢測(cè)。該信號(hào)將被放大由集成溫度傳感器檢測(cè)。該信號(hào)將被放大并進(jìn)行信號(hào)處理，以匹配放大的熱電堆曲線的反向特性，從而在將兩個(gè)信號(hào)相加后實(shí)現(xiàn)環(huán)境溫度補(bǔ)償?shù)淖罴鸦囟葌鞲衅餍盘?hào)的特性是可調(diào)節(jié)的。
此調(diào)整是ASIC生產(chǎn)過程的一部分，將由PerkinElmer提供。因此
總是提供完全校準(zhǔn)的A2TPMI環(huán)境溫度信號(hào)VTamb的特性。
環(huán)境溫度補(bǔ)償
熱電堆傳感器通過以下方式將物體表面的溫度輻射轉(zhuǎn)換為電信號(hào)
通過熱電偶（塞貝克效應(yīng)）。傳感器輸出電壓由溫度引起
輻射加熱（熱）結(jié)和具有良好熱接觸的冷結(jié)之間的差異
住房
為了傳遞僅取決于物體溫度的輸出信號(hào)
外殼（環(huán)境）溫度必須導(dǎo)致適當(dāng)?shù)妮敵鲂盘?hào)校正。
對(duì)于溫度補(bǔ)償，放大的熱電堆和溫度參考信號(hào)（VTambint）
在加法放大器級(jí)中相加。根據(jù)
應(yīng)用程序/客戶要求。
環(huán)境溫度補(bǔ)償和放大的信號(hào)被提供給輸出VTobj。溫度參考信號(hào)或帶隙參考電壓在第二輸出端上可用
引腳VTamb。兩個(gè)輸出都是短路穩(wěn)定的。
數(shù)據(jù)表A2TPMIÔ
A2TPMI數(shù)據(jù)表第4版第10頁，共21頁，2003年10月修訂
控制單元/串行接口
A2TPMI的操作特性必須配置一組內(nèi)部隨機(jī)接入
寄存器。所有參數(shù)/配置永久存儲(chǔ)在并行的E2PROM中，配置
通常在工廠校準(zhǔn)期間完成，并且不需要任何用戶輸入。
控制單元通過串行接口提供對(duì)所有寄存器的訪問，即
2噸/分。串行接口為雙線雙向同步（SDAT，SCLK）類型。A2TPMI傳感器通常在工廠進(jìn)行校準(zhǔn)，因此無需將串行接口用于標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用。
SDAT-/SCLK引腳內(nèi)部上拉至VDD，可以保持未連接狀態(tài)。如果SDAT/
SCLK引腳將在應(yīng)用程序中連接，確保信號(hào)符合串行接口規(guī)范。隨后施加到這些引腳的未定義信號(hào)可能會(huì)改變配置并導(dǎo)致
傳感器出現(xiàn)故障。
有關(guān)串行接口的詳細(xì)信息，請(qǐng)參閱應(yīng)用說明：A2TPMI串行接口說明，或聯(lián)系PerkinElmer應(yīng)用支持。
輸出配置
A2TPMI提供各種輸出配置，可通過串行通信進(jìn)行配置
通過集成模擬開關(guān)實(shí)現(xiàn)接口。對(duì)于每個(gè)輸出，可以單獨(dú)選擇
無論輸出工作在“模擬模式”還是“比較器模式”。
在“模擬模式”中，輸出信號(hào)分別表示測(cè)量的IR輻射和溫度
作為模擬直流電壓。
在“比較器模式”中，分別將測(cè)量的IR輻射與編程閾值進(jìn)行比較。對(duì)于緩慢變化的信號(hào)，可以配置額外的滯后。如果
測(cè)量信號(hào)高于閾值，+5VDC（邏輯高）施加到輸出。如果測(cè)量到
信號(hào)低于閾值，0VDC（邏輯低）施加到輸出。
有關(guān)輸出配置的詳細(xì)信息，請(qǐng)參閱應(yīng)用說明：A2TPMI串行接口
描述，或聯(lián)系PerkinElmer應(yīng)用程序支持。
數(shù)據(jù)表A2TPMIÔ
A2TPMI數(shù)據(jù)表第4版第11頁，共21頁，2003年10月修訂
應(yīng)用程序信息
環(huán)境溫度補(bǔ)償
由于許多物理效應(yīng)，影響了基于
紅外輻射，很難滿足特定應(yīng)用的最佳初始調(diào)整。因此
在第一次測(cè)量時(shí)可能會(huì)發(fā)現(xiàn)一些偏差。對(duì)于所有應(yīng)用程序，優(yōu)化的解決方案可以是
基于應(yīng)用環(huán)境中的測(cè)量來準(zhǔn)備和固定。PerkinElmer很高興
為您提供幫助以找到條件，從而在您的申請(qǐng)中提供最高的準(zhǔn)確性。
溫度補(bǔ)償僅在一定的環(huán)境溫度范圍內(nèi)工作良好，受到限制
通過熱電堆傳感器和溫度參考傳感器的不同設(shè)備參數(shù)。這個(gè)
下圖顯示了一個(gè)典型的特征，只是為了更好地理解
原理補(bǔ)償曲線。該曲線顯示了補(bǔ)償?shù)恼_工作的偏差
單元
VTobj相對(duì)于環(huán)境溫度的溫度偏差
-0,5
0
0, 5
1.
1, 5
2.
2, 5
3.
-20 0 20 40 60 80 100
環(huán)境溫度[°C]
典型溫度偏差[K]
圖中模塊樣本的補(bǔ)償將圖中模塊樣本的補(bǔ)償調(diào)整為20°C至80°C時(shí)的最佳擬合
環(huán)境溫度，但曲線可以在整個(gè)環(huán)境溫度范圍內(nèi)通過
A2TPMI參數(shù)的變化。
測(cè)量公差
A2TPMI的溫度誤差取決于幾個(gè)因素，
物體尺寸與斑點(diǎn)尺寸的關(guān)系、環(huán)境中傳感器外殼上的溫度梯度，
設(shè)備公差和環(huán)境溫度補(bǔ)償?shù)淖罴颜{(diào)節(jié)。
VTamb和VTobj特性下規(guī)定的精度基于以下理論計(jì)算：
以及統(tǒng)計(jì)評(píng)估結(jié)果。PerkinElmer質(zhì)量體系確保所有A2TPMI
在一定的測(cè)試條件下進(jìn)行校準(zhǔn)和測(cè)試，以保證這些規(guī)格。
然而，由于紅外遠(yuǎn)程溫度測(cè)量的性質(zhì)，在特定的應(yīng)用環(huán)境中可能會(huì)出現(xiàn)超出極限或偏差的情況。在這種情況下，請(qǐng)聯(lián)系PerkinElmer
應(yīng)用程序支持，幫助您解決問題。
數(shù)據(jù)表A2TPMIÔ
A2TPMI數(shù)據(jù)表第4版第12頁，共21頁，2003年10月修訂
輸出信號(hào)
A2TPMI放大器采用斬波放大器技術(shù)實(shí)現(xiàn)。由于該技術(shù)的性質(zhì)，輸出信號(hào)VTobj和VTamb在
250kHz的范圍內(nèi)。該AC電壓可以通過電低通濾波器或通過
額外的軟件過濾。
在具有低電阻負(fù)載（>1歐姆）的應(yīng)用中，可以使用如下簡(jiǎn)單的RC低通濾波器
平滑信號(hào)：
在具有高電阻負(fù)載（50kOhm…1MOhm）的應(yīng)用中，可以通過以下方式實(shí)現(xiàn)濾波
環(huán)行應(yīng)該使用像LMV358這樣的軌對(duì)軌運(yùn)算放大器，以便在濾波器電路的輸出上可以獲得完整的感測(cè)范圍。
印刷電路板版本
有兩種不同尺寸的標(biāo)準(zhǔn)PCB版本可供選擇。P1型為17 x 34 mm2
印刷電路板
允許組裝額外的外部反射鏡光學(xué)器件（M個(gè)選項(xiàng)）。P3版本為17 x 20 mm2 PCB，適用于空間有限的應(yīng)用。P3版本不提供鏡像（M選項(xiàng)）。
每個(gè)PCB版本都有普通版（傳感器直接連接到連接器）或第一版
一階（RC電路，L1選項(xiàng)）或二階（有源運(yùn)算放大器電路，L2選項(xiàng)）低通濾波器，以便
如輸出信號(hào)一章中所述，在輸出信號(hào)上提供AC部分的衰減。
2噸/分
VTobj或VTamb
500歐姆
³470納法
VTobj或VTamb已過濾
2噸/分
VTobj或VTamb+
-
LMV358型
R=10歐姆
C=100nF
反應(yīng)堆
C
C
VTobj或VTamb已過濾
L1選項(xiàng)
L2選項(xiàng)
數(shù)據(jù)表A2TPMIÔ
A2TPMI數(shù)據(jù)表第4版第13頁，共21頁，2003年10月修訂
PCB版本提供以下連接器組件：
連接類型制造商：型號(hào)。
牛角連接器
4針頂部入口JST:B 4B-PH-K-S
4針側(cè)入口JST:S 4B-PH-K-S
外殼：PHR 4
聯(lián)系人：SPH-004T-P0.5S
6針頂部入口JST:B 6B-PH-K-S
6引腳側(cè)入口JST:S 6B-PH-K-S
外殼：PHR 6
聯(lián)系人：SPH-004T-P0.5S
接觸材料：磷青銅；鍍錫，
適用導(dǎo)線：0.032至0.08mm2
絕緣外徑：0.5至0.9 mm
注：工程樣品將僅與6針插頭和配套連接器一起交付
350毫米電纜。
輸出負(fù)載
直接施加到輸出的電容性負(fù)載降低了環(huán)路穩(wěn)定性裕度。的值
可以容納100pF。輸出的電阻負(fù)載應(yīng)盡可能小（即
大的負(fù)載電阻，必須使用Rload＞50kW），以避免由于模塊的自加熱而對(duì)溫度信號(hào)產(chǎn)生影響。
響應(yīng)時(shí)間
對(duì)物體溫度跳躍的響應(yīng)時(shí)間取決于熱電堆的時(shí)間常數(shù)t，并且
A2TPMI的信號(hào)處理時(shí)間。熱電堆信號(hào)的處理具有延遲時(shí)間
由AD轉(zhuǎn)換、DA轉(zhuǎn)換和信號(hào)處理所需的時(shí)間引起的最大75ms的（tlat）。下圖解釋了這些事件之間的聯(lián)系
圖2：響應(yīng)時(shí)間定義
A2TPMI的采樣率為30個(gè)樣本/秒，分辨率約為30ms
用于VTobj處的動(dòng)態(tài)信號(hào)。
托比2
t緯度
托比1
t呼吸
63%
t緯度t
37%
V目標(biāo)1
V目標(biāo)2
t呼吸
噸
數(shù)據(jù)表A2TPMIÔ
A2TPMI數(shù)據(jù)表第4版第14頁，共21頁，2003年10月修訂
閂鎖回避
結(jié)隔離CMOS電路固有地包括寄生4層（PNPN）結(jié)構(gòu)，其具有類似于晶閘管（SCR）的特性。在某些情況下，此連接可能會(huì)觸發(fā)
低阻抗?fàn)顟B(tài)，導(dǎo)致過大的供電電流，這可能會(huì)熱破壞電路。
為了避免這種情況，不應(yīng)向任何
大頭針通常，ATPMI電源必須在同一時(shí)間或在任何信號(hào)發(fā)出之前建立
被應(yīng)用于輸入。如果不可能，則驅(qū)動(dòng)電在某些情況下，此連接可能會(huì)觸發(fā)
低阻抗?fàn)顟B(tài)，導(dǎo)致過大的供電電流，這可能會(huì)熱破壞電路。
為了避免這種情況，不應(yīng)向任何
大頭針通常，ATPMI電源必須在同一時(shí)間或在任何信號(hào)發(fā)出之前建立
被應(yīng)用于輸入。如果不可能，則驅(qū)動(dòng)電路必須將輸入電流限制為
最大5mA以避免閂鎖。一般情況下，設(shè)備必須使用100 nF電容器進(jìn)行操作
與電源并聯(lián)。
焊接
TPMI是一種無鉛組件，完全符合ROHS法規(guī)，尤其是現(xiàn)有的無鉛焊接路線圖。TPMI傳感器的終端由鍍鎳Kovar組成
和金色飾面。建議使用手工焊接。
數(shù)據(jù)表A2TPMIÔ
A2TPMI數(shù)據(jù)表第4版第15頁，共21頁，2003年10月修訂
包裝信息
帶標(biāo)準(zhǔn)蓋的TO39（C4）：
2噸每平方米334
TO 39，帶5.5mm焦距硅透鏡
（L5.5）：
2磅/平方米334-L5.5
TO39，帶高帽和內(nèi)部反射器
（C6-IRA）：
336伊拉克里亞爾
帶低帽和方孔的TO39（C7）
2百萬分之337
最大8.25
Æ 5.84
22.5°
45°
最大9.3
Æ0.41 – 0.48
Æ 5.0 – 5.6
0.81 ± 0.15
0.89 ± 0.15
6 ± 1
13.35 – 13.75
0.7 ± 0.2
1.9 ± 0.1
傳感器表面最大8.25
Æ 5.84
22.5°
45°
最大9.3
Æ0.41 – 0.48
3.2 – 3.6
0.81 ± 0.15
0.89 ± 0.15
6 ± 1
3.05 – 3.4
0.7 ± 0.2
1.15 ± 0.2
傳感器表面
Æ1.4最大值0.3最大值
Æ 5.84
最大8.2
22.5°
45°
最大9.3
8.25 ± 0.2
Æ0.41 – 0.48
Æ 5.5
0.81 ± 0.15
0.89 ± 0.15
6 ± 1
傳感器表面
1.9 ± 0.1
最大8.2
22.5°
45°
最大9.3
0.5
4.2 ± 0.2
Æ最大6.5
Æ 0.41 – 0.48
Æ 2.5
0.81 ± 0.15
0.89 ± 0.15
6 ± 1
Æ 5.84
數(shù)據(jù)表A2TPMIÔ
A2TPMI數(shù)據(jù)表第4版第16頁，共21頁，2003年10月修訂
包裝信息（續(xù)）
TO 39，帶10.6mm焦距硅透鏡
（l0.6）：
2磅/平方米334-L10.6
Æ 5.84
最大8.2
22.5°
45°
最大9.3
13.9 ± 0.1
Æ0.41 – 0.48
最大值
Æ 5.5
0.81 ± 0.1
0.89 ± 0.1
6 ± 0.5
傳感器表面
1.9 ± 0.1
數(shù)據(jù)表A2TPMIÔ
A2TPMI數(shù)據(jù)表第4版第17頁，共21頁，2003年10月修訂
PCB版本P1 J4S
尺寸A
（帽型）
C4 4.3±0.3
C6IRA 13.6±0.3
C7 3.5±0.3
L5.5 8.3±0.3
l0.6 14.0±0.3
尺寸B
參考傳感器圖紙
PCB版本P1 J4T
尺寸A
（帽型）
C4 4.3±0.3
C6IRA 13.6±0.3
C7 3.5±0.3
L5.5 8.3±0.3
l0.6 14.0±0.3
尺寸B
參考傳感器圖紙
17± 0.3
11.1 6 ± 0.4
33 ± 0.3
1.65 ± 0.4
1.1
4.8
最大4
9.9
1.5
Æ2
13.7
最大8.25
7.7
A.
B
37.4 ± 0.3
13.9
1.5
17± 0.3
11.1 6 ± 0.4
33 ± 0.3
1.65 ± 0.4
最大6.2
最大4
4.5
9.9
1.5
Æ2
13.7億
7.7
最大8.25
1.1
A.
4.5
13.9
1.5
j6秒
j6秒
數(shù)據(jù)表A2TPMIÔ
A2TPMI數(shù)據(jù)表第4版第18頁，共21頁，2003年10月修訂
帶外部鏡子的PCB版本P1 J4S
帶外部鏡子的PCB版本P1 J4T
看法
方向
看法
方向
看法
方向
MR類型
ML類型
MF類型
最大15
最大13.5
17± 0.3
11.1 6 ± 0.4
33 ± 0.3
1.65 ± 0.4
1.1
4.8
最大13.5
看法
方向
最大4
9.9
1.5
Æ2
13.7
37.4 ± 0.3
9 ± 0.5
13.9
1.5
最大15
最大13.5
17± 0.3
11.1 6 ± 0.4
33 ± 0.3
1.65 ± 0.4
1.1
最大6.2
最大13.5
看法
方向
最大4
4.5
9.9
1.5
Æ2
13.7
9 ± 0.5
4.5
13.9
1.5
j6秒
j6秒
數(shù)據(jù)表A2TPMIÔ
A2TPMI數(shù)據(jù)表第4版第19頁，共21頁，2003年10月修訂
PCB版本P3 J4S
尺寸A
（帽型）
C4 4.3±0.3
C6IRA 13.6±0.3
C7 3.5±0.3
L5.5 8.3±0.3
l0.6 14.0±0.3
尺寸B
參考傳感器圖紙
PCB版本P3 J4T
尺寸A
（帽型）
C4 4.3±0.3
C6IRA 13.6±0.3
C7 3.5±0.3
L5.5 8.3±0.3
l0.6 14.0±0.3
尺寸B
參考傳感器圖紙
20 ± 0.2
17 ± 0.2 15.2 ± 0.2
18.2 ± 0.2
7.3 ± 0.1
13 ± 0.1
Æ2.3
Æ1
最大8.25
1.1 ± 0.2
最大24.25
4.8
8.2
A.
9.9
6.5 ± 0.1
B
13.9
j6秒
6
9.4
13.9
20 ± 0.2
17 ± 0.2 15.2 ± 0.2
18.2 ± 0.2
7.3 ± 0.1
13 ± 0.1
Æ2.3
Æ1
1.1 ± 0.2
6
9.4
9.9
6.5 ± 0.1
最大20.8
4.5
Æ 4.2 ± 0.2
A.
B
最大8.25
j6噸
數(shù)據(jù)表A2TPMIÔ
A2TPMI數(shù)據(jù)表第4版第20頁，共21頁，2003年10月修訂
連接信息
印刷電路板版本P1 J4S印刷電路板版P1 J4T
PCB版本P1 J6S PCB版本P1 J6T
印刷電路板版本P3 J4S印刷電路板版P3 J4T
PCB版本P3 J6S PCB版本P3 J6T
非PCB版本
仰視圖
V目標(biāo)
全球?qū)Ш叫l(wèi)星系統(tǒng)
虛擬數(shù)據(jù)挖掘
VTamb公司
V目標(biāo)
全球?qū)Ш叫l(wèi)星系統(tǒng)
虛擬數(shù)據(jù)挖掘
VTamb公司
SCLK公司
星期四
V目標(biāo)
全球?qū)Ш叫l(wèi)星系統(tǒng)
虛擬數(shù)據(jù)挖掘
VTamb公司
V目標(biāo)
全球?qū)Ш叫l(wèi)星系統(tǒng)
虛擬數(shù)據(jù)挖掘
VTamb公司
SCLK公司
星期四
V目標(biāo)
全球?qū)Ш叫l(wèi)星系統(tǒng)
虛擬數(shù)據(jù)挖掘
VTamb公司
V目標(biāo)
全球?qū)Ш叫l(wèi)星系統(tǒng)
虛擬數(shù)據(jù)挖掘
VTamb公司
V目標(biāo)
全球?qū)Ш叫l(wèi)星系統(tǒng)
虛擬數(shù)據(jù)挖掘
VTamb公司
SCLK公司
星期四
V目標(biāo)
全球?qū)Ш叫l(wèi)星系統(tǒng)
虛擬數(shù)據(jù)挖掘
VTamb公司
SCLK公司
星期四
V目標(biāo)
VTamb公司
虛擬數(shù)據(jù)挖掘
全球?qū)Ш叫l(wèi)星系統(tǒng)
SCLK公司
星期四
數(shù)據(jù)表A2TPMIÔ
A2TPMI數(shù)據(jù)表第4版第21頁，共21頁，2003年10月修訂
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作為任何半導(dǎo)體與任何半導(dǎo)體器件一樣，熱電堆傳感器或模塊固有地具有一定的故障率。它
因此，有必要通過結(jié)合安全性來防止此類故障造成的傷害、損壞或損失
將措施設(shè)計(jì)到設(shè)備中。TPs 1T 0236 L5.5 0AA300/6260 ，A2TPMI 334-L5.5 OAA300
、ExcelitasTPIS 1T 1252B |
