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壓電膜PVDF
來(lái)源:薄膜壓力傳感器壓力分布 | 發(fā)布時(shí)間:2016/4/29 14:18:17 | 瀏覽次數(shù):

頻率響應(yīng)

與壓電陶瓷傳感器不同,壓電膜傳感器具有很寬的動(dòng)態(tài)范圍,并是寬帶的。這種寬帶特性(接近DC到2GHz)和低Q值部分地歸因于聚酯材料的柔性。用做傳聲器時(shí),將彎曲的壓電膜器件兩端固定,按長(zhǎng)度(d31)模式振動(dòng),如圖10所示。壓電膜是一種保真度極高的高音喇叭,也可應(yīng)用在玩具、充氣物品和游戲具中做新穎揚(yáng)聲器。d31模式(圖10),也可以用在空氣中的超聲測(cè)距,頻率可達(dá)約50kHz。

當(dāng)用作高頻超聲發(fā)送器(一般>500KHz)時(shí),壓電膜通常是按厚度(d33)模式工作。最大傳送量發(fā)生在厚度諧振時(shí)。28µm的壓電膜基本半波長(zhǎng)諧振頻率約為40MHz:




從以上可以看出,諧振值的大小決定于膜厚,其范圍為:對(duì)厚膜為幾MHz(1000µm)到對(duì)非常薄的膜大于100MHz以上。

圖11給出了在室溫條件下頻率對(duì)介電常數(shù)和耗散因數(shù)的影響。當(dāng)介電常數(shù)ε 非常低時(shí)(壓電陶瓷的1%),壓電膜的g常數(shù)(電壓輸出系數(shù))要比壓電陶瓷的大得多(g = d/ε)。

                              
壓電膜在低頻時(shí)的特性

引言

壓電膜在低頻時(shí)的特性應(yīng)直接以電氣術(shù)語(yǔ)來(lái)表述,但常常造成曲解|. 由于這一技術(shù)的任何實(shí)際應(yīng)用都幾乎涉及這個(gè)問(wèn)題,本文想用一定的篇幅分析這個(gè)題目,并盡可能地以非數(shù)學(xué)型式處理,采用語(yǔ)言描述和實(shí)例表達(dá)概念,假設(shè)有些讀者精通用FFT技術(shù)來(lái)變換時(shí)間域和頻率域,但并不重要。

連接
通常,對(duì)壓電膜的初步評(píng)價(jià),是將一個(gè)壓電器件用一個(gè)探頭(示波器探頭)連接到示波器上。一般來(lái)說(shuō),示波器探頭可以視作“無(wú)窮大阻抗”,由于非常大,在測(cè)試中對(duì)電路的影響可以忽略不計(jì)。但在很多情況下,對(duì)壓電膜并非如此,示波器探頭的接入幾乎是短路,典型的探頭,當(dāng)其接入示波器時(shí),則有1MΩ的有效電阻,也有的是10MΩ,而也有不少為了方便起見(jiàn)可在1MΩ(x1)和10MΩ(x10)之間轉(zhuǎn)換,包括1MΩ阻抗的物理要素通常是示波器內(nèi)的輸入級(jí),而不是指探頭內(nèi)的單獨(dú)元件。一個(gè)“X1”探頭實(shí)際上就是一段兩端有相應(yīng)觸點(diǎn)的屏蔽電纜。

源電容

為分析接上探頭之后將產(chǎn)生什么情況,我們需要考慮壓電膜器件的特性。也許最為重要的特性(當(dāng)然是在壓電特性之后)就是材料的電容。電容是任何一種元件的儲(chǔ)存電荷能力的量度,并且總是在兩塊導(dǎo)電板相互靠近時(shí)存在。本文中所指的導(dǎo)電板就是壓電膜每一面上所印刷或金屬化出來(lái)的導(dǎo)電極,該器件的電容主要受電極之間分離電極的絕緣體特性的影晌,絕緣體儲(chǔ)存電荷能力的度量由它的介電常數(shù)表述。

與大部分聚合物材料相比,PVDF的介電常數(shù)很高,大約為12(相對(duì)于自由空間介電常數(shù))。
顯然,一個(gè)元件的電容量是隨其導(dǎo)體面積的加大而增加,所以,一大片壓電膜的電容要大于小元件的電容。同時(shí),電容量也隨厚度的減少而增大。因此,相同的幾何面積,薄壓電膜的電容量要比厚膜的大。
上述關(guān)系可以寫(xiě)為:C= A/t
式中:
 c~壓電膜的電容量 
ε~介電常數(shù)(也可以表示為ε=εrεσ,          
εr~相對(duì)介電常數(shù)(對(duì)PVDF約為12),          εσ~自由空間的介電常數(shù)
         (8. 854×10-12F/m)
A ~壓電膜電極的有效面積(重疊部分)
t ~ 膜厚

電容的單位為法拉(F),但通常碰到的是小得多的單位;微法(uF或10-6F),毫微法(nF或10-9F;皮法(pF或10-12F)。

任何壓電膜元件的電容都可以用公式來(lái)計(jì)算,也可以用手持  電容表或儀表(如LCR橋)直接測(cè)量。

電容值應(yīng)當(dāng)是在給定的測(cè)量頻率上(通
常定為1kHz)測(cè)得的,壓電膜元件的
電容值一般隨測(cè)量頻率的提高而下降。
 

 
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